ANÁLISE DA RESISTÊNCIA DE FOLHA EM CÉLULAS SOLARES BIFACIAIS PRODUZIDAS EM FORNO COMPACTO DESENVOLVIDO COM TECNOLOGIA NACIONAL

Resumo

A difusão de dopantes é uma etapa essencial no processo de fabricação de células solares de silício. O objetivo deste artigo é analisar a curva de aquecimento e a resistência de folha no emissor de fósforo e no campo retrodifusor de boro em células solares bifaciais PERT base p, produzidas em um forno compacto desenvolvido com tecnologia nacional (patente BR102012030601-8). Apresentam-se as dimensões da câmara de processamento de quartzo do forno compacto, bem como as taxas de aquecimento utilizadas no processo de difusão de fósforo a 845°C e de boro a 950 °C. As amostras de Si-Cz tipo p foram preparadas de acordo com o processo típico de produção de células solares bifaciais PERT. Para a difusão dos dopantes, foi utilizada a técnica de deposição por spin-coating. Mediu-se a resistência de folha nas lâminas de silício colocadas em diferentes posições na zona plana do forno compacto, para avaliar a uniformidade da difusão. O comportamento térmico durante a difusão de fósforo e de boro demonstrou controle adequado das rampas de aquecimento e da estabilidade da temperatura de difusão. Constatou-se que o processo de difusão de fósforo foi uniforme em relação à posição na zona plana, variando entre 157 e 178 Ω/sq, e a uniformidade foi maior que a obtida em forno convencional. A difusão de boro apresentou uniformidade em uma mesma lâmina de silício, com desvio padrão percentual variando entre 2% e 12 %, e foi menor que o obtido no emissor de fósforo, que variou entre 4% e 14%. Porém, verificou-se que a resistência de folha no campo retrodifusor foi uniforme somente em uma região da zona plana. Portanto, o forno compacto produzido com tecnologia nacional pode ser uma alternativa para a realização de processos de difusão de dopantes em lâminas de silício para produzir células solares bifaciais.