DESENVOLVIMENTO DO CAMPO RETRODIFUSOR SELETIVO DE ALUMÍNIO E BORO EM CÉLULAS SOLARES DE SILÍCIO - Crestani, Thais; Zanesco, Izete; Moehlecke, Adriano; Razera, Ricardo Augusto Zanotto; de Aquino, Jéssica; Model, José Cristiano Mengue; Ly, Moussa (Revista Brasileira de Energia Solar, 2018)
As células solares típicas da indústria possuem um emissor frontal formado por fósforo e um campo retrodifusor homogêneo formado por pasta de alumínio, que provoca o abaulamento das células solares. A formação de um campo retrodifusor seletivo de boro e alumínio evita o abaulamento. O objetivo deste artigo é apresentar o desenvolvimento do campo retrodifusor seletivo de boro e alumínio em células solares industriais processadas em lâminas de Si-Cz, grau solar. Otimizou-se a temperatura de queima das pastas de metalização e a temperatura de difusão de boro. Para formar o campo retrodifusor seletivo, a difusão de boro foi implementada em toda a face posterior da lâmina de silício e por serigrafia foi depositada a pasta de alumínio, somente nas trilhas metálicas. A resistência de folha média no emissor de fósforo foi de 56,4 Ω/ e na região com boro do campo retrodifusor variou de 21,8 Ω/ a 73,8 Ω/. A temperatura de queima (TQ) das pastas metálicas, que forma o campo retrodifusor seletivo nas trilhas metálicas, foi variada de 850 °C a 880 °C. Constatou-se que, em média, a melhor TQ ocorreu em 860 °C - 870 °C e a variação da eficiência em função da temperatura de queima foi inferior a 0,9 % (absoluto). O maior fator de forma resultou na maior eficiência média de 15,3 %. A densidade de corrente de curto-circuito praticamente não foi afetada pela TQ e pela temperatura de difusão de boro. A maior eficiência, de 15,7 %, foi obtida para a temperatura de difusão de boro de 960 °C e TQ de 880 °C e verificou-se que a tensão de circuito aberto tende a aumentar com o aumento da temperatura de difusão de boro.